Übersetzung von "gallium arsenide chargecoupled device" ins Russische

Ausgangssprache auswählen

Ausgangstext

37 / 999

Zielsprache auswählen

Übersetzung

Ihr Text wurde teilweise übersetzt.
Sie können maximal 999 Zeichen gleichzeitig übersetzen.
Loggen Sie sich ein oder registrieren Sie sich kostenlos bei PROMT.One und übersetzen Sie noch mehr!

Wörterbuch für "gallium arsenide chargecoupled device"

gallium arsenide chargecoupled device substantiv

pl. gallium arsenide chargecoupled devices

прибор с зарядовой связью на арсениде галлия м.р.

Kontexte mit "gallium arsenide chargecoupled device"

The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on. Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.

Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.

It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits. Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.

Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements; «Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;

It's an attractive price, for this sort of device. Эта цена привлекательна для данного типа устройств.

Beispiele für den Wortgebrauch in verschiedenen Kontexten werden ausschließlich zu linguistischen Zwecken bereitgestellt, d. h. um den Wortgebrauch in einer Sprache und Varianten ihrer Übersetzung in eine andere zu untersuchen. Alle Beispiele werden automatisch aus offenen Quellen mit Hilfe einer zweisprachigen Suchtechnologie gesammelt. Wenn Sie einen Rechtschreib-, Zeichensetzungs- oder anderen Fehler im Original oder in der Übersetzung finden, nutzen Sie die Option „Problem melden“ oder schreiben Sie uns.