Traducción de "gallium arsenide field effect transistor" al ruso
Traducción
Tu texto ha sido traducido parcialmente.
Puedes traducir no más de 999 caracteres a la vez.
Inicia sesión o regístrate gratis en PROMT.One y traduce aún más!
Publicidad
Traducciones del diccionario para "gallium arsenide field effect transistor"
gallium arsenide field effect transistor
sustantivo
pl.
gallium arsenide field effect transistors
Contextos con "gallium arsenide field effect transistor"
The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on.
Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.
Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride.
Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.
It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits.
Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.
Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements;
«Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;
Los ejemplos del uso de palabras en diferentes contextos se proporcionan únicamente con fines lingüísticos, es decir, para estudiar el uso de palabras en un idioma y sus opciones de traducción a otro. Están recopilados automáticamente de fuentes abiertas utilizando tecnología de búsqueda basada en datos bilingües. Si encuentras un error ortográfico o de puntuación en el original o en la traducción, utiliza la opción "Informar de un problema" o escríbenos.
Testimonials
Publicidad