Translation of "gallium arsenide chargecoupled device" to Russian

Select source language

Source text

37 / 999

Select target language

Translation results

Your text has been partially translated.
You can translate a maximum of 999 characters at a time.
Login or register for free on PROMT.One and translate even more!

Advert

Dictionary translations for "gallium arsenide chargecoupled device"

gallium arsenide chargecoupled device noun

pl. gallium arsenide chargecoupled devices

прибор с зарядовой связью на арсениде галлия м.р.

Contexts with "gallium arsenide chargecoupled device"

The pioneers of microelectronics tried many strategies to supplant vacuum tubes, and they delivered a host of semiconductors and chip designs: germanium, silicon, aluminum, gallium arsenide, PNP, NPN, CMOS, and so on. Пионеры микроэлектроники перепробовали массу стратегий, чтобы вытеснить вакуумные трубки, и они использовали разнообразные полупроводники и конструкции чипов: германий, кремний, алюминий, арсенид галлия, PNP, NPN, CMOS и так далее.

Sensor window materials', as follows: alumina, silicon, germanium, zinc sulphide, zinc selenide, gallium arsenide, diamond, gallium phosphide, sapphire and the following metal halides: sensor window materials of more than 40 mm diameter for zirconium fluoride and hafnium fluoride. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм- фтористый цирконий и фтористый гафний.

It is used in the processing of gallium arsenide crystals (used in mobile phones, lasers and so on), as a dopant in silicon wafers, and to manufacture arsine gas (H3As), which is used to make superlattice materials and high-performance integrated circuits. Его используют для получения кристаллов арсенида галлия (применяемых в мобильных телефонах, лазерах и т. п.), в качестве легирующего элемента в составе кремниевых пластин, а также при синтезе газообразного арсина (H3As), необходимого для производства материалов сверхрешетчатой структуры и высокопроизводительных интегральных схем.

Gallium Arsenide (GaAs) or Gallium Aluminum Arsenide (GaAlAs) quantum well " focal plane arrays " having less than 256 elements; «Решетки фокальной плоскости» с потенциальной ямой, выполненные на основе арсенида галлия (GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка (GaAlAs), имеющие менее 256 элементов;

It's an attractive price, for this sort of device. Эта цена привлекательна для данного типа устройств.

Examples of word usage in different contexts are provided solely for linguistic purposes, i.e. to study word usage in a sentence in one language and how they can be translated into another. All samples are automatically collected from a variety of publicly available open sources using bilingual search technologies.
If you find a spelling, punctuation or any other error in the original or translation, use the "Report a problem" option or write to us.